簡(jiǎn)述進(jìn)口稱(chēng)重傳感器有關(guān)資料

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進(jìn)口稱(chēng)重傳感器光電池是利用光生伏應把光能直接轉變成電能的器件，Mettler Toledo稱(chēng)重傳感器在有光照情況下就是一個(gè)電源。傳感器由于它廣泛應用于把太陽(yáng)能直接變?yōu)殡娔?，因此又稱(chēng)為太陽(yáng)能電池。進(jìn)口稱(chēng)重傳感器光電池的種類(lèi)很多，NMB稱(chēng)重傳感器以其半導體材料加以區別，如硒光電池、鍺光電池、硅光電池、氧化亞銅光電池、砷化稼光電池、磷化稼光電池等。進(jìn)口稱(chēng)重傳感器其中應用zui廣zui受重視的是硅光電池，因為它具有穩定性好、光譜響應范圍寬、頻率特性好，換能效率高、耐高溫輻射和價(jià)格便宜等一系列優(yōu)點(diǎn)。HBM稱(chēng)重傳感器砷化稼光電池的理論換能效率比硅光電池稍 高一點(diǎn)，光譜響應特性則與太陽(yáng)光譜zui吻合，而且，工作溫度zui高，更耐受宇宙射線(xiàn) 的輻射，因此，進(jìn)口稱(chēng)重傳感器它在宇航電源方面的應用是zui有發(fā)展前途的。    

進(jìn)口稱(chēng)重傳感器光電池的結構和工作原理常用硅光電池的結構，AMCELLS稱(chēng)重傳感器制造方法是:在電阻率約為0.1一1Cm的N型硅片上，擴散硼形成P型透光層;然后，進(jìn)口稱(chēng)重傳感器分別用電極引線(xiàn)把P型和N型層引出，形成正、負電極。如果在兩電極間接上負載電阻，進(jìn)口稱(chēng)重傳感器則受光照時(shí)就會(huì )有電流流過(guò)。進(jìn)口稱(chēng)重傳感器為了提率，防止表面反射光，Celtron稱(chēng)重傳感器在器件的受光面上要進(jìn)行氧化，以形成保護膜，此外，向P型硅片擴散N型雜質(zhì)，也可制成硅光電池。    
進(jìn)口稱(chēng)重傳感器光電池是一種直接將光能轉換為電能的光電器件，它是一個(gè)大面積的PN結。當光照射到PN結上時(shí)，ZEMIC稱(chēng)重傳感器便在PN結的兩端產(chǎn)生電動(dòng)勢(P區為正，N區為負)。如果在PN結兩端電極間接上內阻足夠高的電壓表，就可發(fā)現P區端和N區端之間存在著(zhù)電勢差。如果將電流表接在兩電極間，
進(jìn)口稱(chēng)重傳感器電流表中就有電流流過(guò)。為什么PN結會(huì )產(chǎn)生光生伏應呢?
我們知道，RICE LAKE稱(chēng)重傳感器當N型半導體和P型半導體結合在一起構成一塊晶體時(shí)，進(jìn)口稱(chēng)重傳感器由于熱運動(dòng)，N區中的電子就向P區擴散，而P區中的空穴則向N區擴散，結果在P區靠近交界處聚集較多的電子，而在N區的交 界處聚集較多的空穴，于是在過(guò)渡區形成一個(gè)電場(chǎng)。進(jìn)口稱(chēng)重傳感器電場(chǎng)的方向是由N區指向P 區，這個(gè)電場(chǎng)阻止電子進(jìn)一步由N區向P區擴散和空穴進(jìn)一步由P區向N區擴散，但是卻能推動(dòng)N區中的空穴(少數載流子)和P區中的電子(也是少數載流子) 分別向對方運動(dòng)。當光照到.PN結上時(shí)，如果光子能量足夠大，進(jìn)口稱(chēng)重傳感器就將在PN結區附近激發(fā)電子一空穴對，在PN結電場(chǎng)作用下，N區的光生空穴被拉向P區，P區的光生電子被拉向N區，結果就在N區聚集了負電荷，帶負電;P區聚集了空穴，帶正電。這樣，進(jìn)口稱(chēng)重傳感器N區和P區之間就出現了電位差。用導體將PN結兩端連接起來(lái)，電路中就有電流流過(guò)，TRANSCELL稱(chēng)重傳感器電流的方向由P區流經(jīng)外電路至N區;若將電路斷開(kāi)，進(jìn)口稱(chēng)重傳感器就可測出光生電動(dòng)勢。